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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-257 - C10-260 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831054 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-257-C10-260
DOI: 10.1051/jphyscol:19831054
ETUDE PAR ELLIPSOMETRIE EN TEMPS REEL D'ANODISATIONS PLASMA DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
A. Vareille, A. Straboni, B. Vuillermoz et Ph. GedC.N.E.T., Chemin du vieux chêne, B.P. 98, 38243 Meylan, France
Résumé
Un ellipsomètre monochromatique (632.8 nm.) à analyseur tournant a été utilisé pour suivre en temps réel l'oxydation anodique du silicium dans un plasma d oxygène (13.56 MHz, 600 W, 4 Pa). Un modèle comportant une seule couche transparente homogène sur du silicium monocristallin avec une interface abrupte n'est pas suffisant pour expliquer les résultats expérimentaux ; la présence d'une couche interfaciale entre le silicium et la silice est examinée.
Abstract
A monochromatic (632.8 nm) rotating analyzer ellipsometer has been developed for real time analysis of the anodic oxidation of silicon in an oxygen plasma (13.56 MHz, 600 W, 4 Pa). A single transparent layer on crystalline silicon with an abrupt interface cannot explain the experimental results ; the presence of a silicon-silicon dioxide interfacial layer is discussed.