Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-247 - C10-251
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831052
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-247-C10-251

DOI: 10.1051/jphyscol:19831052

GROWTH CHARACTERIZATION OF a Si:H FILMS BY MULTIPLE ANGLE OF INCIDENCE SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY

J. Perrin et B. Drevillon

Equipe de Recherche : Synthèse de couches minces pour l'Energétique, L.P.N.H.E., Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, France


Résumé
Les processus de croissance et les propriétés optiques de couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) déposées à partir de la décomposition du silane par plasma sont étudiés in situ par ellipsométrie en temps réel et ellipsométrie spectroscopique à trois angles d'incidence. On montre que le dépôt d'ions SiH+n accélérés (20-100 eV) favorise une croissance homogène et une densification de la couche alors que le dépôt d'ions non accélérés ou de radicaux neutres engendre un processus de croissance non homogène, où l'indice de réfraction et la densité de la couche dépendent de son épaisseur.


Abstract
The growth mechanism and the optical properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films, deposited from silane plasma decomposition, are studied in situ by real time and spectroscopic ellipsometry at three angles of incidence. Deposition of accelerated (20-100 eV) SiH+n ions is shown to favour homogeneous and isotropic film growth and film densification. On the contrary deposition of non accelerated ions and/or neutral species results in an inhomogeneous growth mechanism with thickness dependent film index and density.