Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-239 - C10-242
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831050
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-239-C10-242

DOI: 10.1051/jphyscol:19831050

ELECTROREFLECTANCE OF THIN ZINC SULFIDE FILMS GROWN BY ATOMIC LAYER EPITAXY AND ELECTRON BEAM EVAPORATION TECHNIQUES

J.A. Lahtinen et T. Tuomi

Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology, SF-02150 Espoo 15, Finland


Résumé
Nous avons mesuré les spectres d'électroréflectance de couches minces polycristallines de ZnS:Mn obtenues par "atomic layer epitaxy" et par évaporation. De l'énergie Eo de la transition électronique directe observée à 3,74 et 3,705 eV respectivement, on déduit que les couches minces de ZnS formées par épitaxie en couche atomique sont essentiellement de structure hexagonale, alors que la structure des couches déposées par évaporation à l'aide d'un canon à électrons est proche de celle des polytypes 4H ou 6H.


Abstract
We have measured electroreflectance spectra of polycrystalline ZnS:Mn thin films grown using atomic layer epitaxy and electron beam evaporation techniques for electroluminescent devices. From the Eo direct electron transition observed at 3.74 eV and 3.705 eV it is concluded that the ZnS thin films grown by atomic layer epitaxy are predominantly hexagonal whereas the crystal structure of the films grown by electron beam evaporation is close to polytype 4H or 6H.