Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-217 - C10-220
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831045
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-217-C10-220

DOI: 10.1051/jphyscol:19831045

ELLIPSOMETRIC STUDY OF NUCLEATION AND GROWTH IN THE ANODIC FILM FORMATION ON Bi2 Te3

T. Hoshino, A. Moritani et J. Nakai

Department of Electronic Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565, Japan


Résumé
Dans cette étude on montre, à partir de mesures ellipsométriques, que la formation du film anodique sur le semiconducteur lamellaire Bi2 Te3 a lieu par un mécanisme de nucléation bidimensionnelle-croissance. L'indice de réfraction, l'épaisseur de la monocouche et la tension de formation du film anodique sont respectivement de 2,10 ± 0,05, 15 ± 1 Å et 0,23 ± 0,02 v/monocouche.


Abstract
The present paper shows from the ellipsometric investigation that the anodic film formation on layered semiconductor Bi2Te3 proceeds through the two-dimensional nucleation and growth. The present study indicates that the refractive index, the monolayer thickness and the formation voltage of the anodic film are 2,10 ± 0,05, 15 ± 1 Å and 0,23 ± 0,02 v/monolayer, respectively.