Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-183 - C10-186
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831037
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-183-C10-186

DOI: 10.1051/jphyscol:19831037

ETUDE "IN SITU" DE LA CROISSANCE D'OXYDE ANODIQUE PAR ELLIPSOMÉTRIE

J. Joseph et A. Gagnaire

Laboratoire de Physicochimie des Interfaces, Ecole Centrale de Lyon, 36, Avenue Guy de Collongue, BP 163, 69131 Ecully Cedex, France


Résumé
La croissance des oxydes anodiques sur les semiconducteurs est étudiée avec un spectroellipsomètre à analyseur tournant. Un traitement en temps réel par un ordinateur donne Ɗ et ψ. Par une procédure de minimisation dans le plan ψ, Ɗ on obtient les indices et l'épaisseur. Simultanément, on effectue une mesure d'impédance. La méthode est appliquée à la croissance d'oxyde anodique sur GaAs.


Abstract
The growth of anodic oxides on semiconductors was "in situ" studied by a spectroellipsometer with a rotating analyser. A real-time treatment of the signal by a computer gives Ɗ and ψ. A minimization procedure applied to the data plotted in the ψ-Ɗ plane gives the indices and the thickness of the oxide. A simultaneous measurement of the impedance is also controlled by the computer. The method is applied to the study of anodic oxide growth on GaAs.