Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-179 - C10-182
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831036
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-179-C10-182

DOI: 10.1051/jphyscol:19831036

ELLIPSOMETRIC INVESTIGATION OF THE SILICON / ANODIC-OXIDE INTERFACE

E.D. Palik et V.M. Bermudez

Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20735, U.S.A.


Résumé
On présente les résultats de mesures d'ellipsométrie effectuées pendant la croissance et le décapage de couches d'oxyde anodique sur le silicium dans 2M KOH. Il se produit des variations importantes de ψ et de Ɗ au moment où le décapage chimique atteint l'interface SiO2/Si, et aussi dans la première phase de l'anodisation. Les résultats sont interprétés par un changement dans la stoechiométrie et l'épaisseur d'une couche de transition SiOx (0≤x≤2).


Abstract
Ellipsometric measurements have been carried out during growth and etch back of anodic oxides on Si in 2M KOH. Pronounced variations in ψ and Ɗ occur as etching proceeds through the SiO2/Si interface and also during the initial stages of re-anodization. The results are interpreted in terms of changes in the stoichiometry and thickness of an SiOx (0≤x≤2) connective layer.