Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-167 - C10-169
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831033
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-167-C10-169

DOI: 10.1051/jphyscol:19831033

CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR ELECTROLYTE INTERFACE BY MODULATED PHOTOLUMINESCENCE

M. Tomkiewicz et R. Garuthara

Department of Physics, Brooklyn College of CUNY, Brooklyn, New York 11210, U.S.A.


Résumé
Nous montrons que la photoluminescence, modulée par de faibles variations du potentiel des électrodes, est un outil puissant pour contrôler la distribution du potentiel à l'interface semiconducteur-électrolyte. Nous présentons des résultats sur des couches minces et des monocristaux de CdSe dans des cellules photovoltaiques électrochimiques.


Abstract
We will show that photoluminescence, modulated by small periodic changes of electrode potential serves as a powerful tool for monitoring the potential distribution at the semiconductor electrolyte interface. Results will be presented for thin film and single crystal CdSe in electrochemical photovoltaic cells.