Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-163 - C10-166
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831032
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-163-C10-166

DOI: 10.1051/jphyscol:19831032

CHARACTERIZATION OF SURFACE STATES AT A SEMICONDUCTOR ELECTROLYTE INTERFACE BY ELECTROLYTE ELECTROREFLECTANCE SPECTROSCOPY

M. Tomkiewicz et W. Siripala

Department of Physics, Brooklyn College of CUNY, Brooklyn, New York 11210, U.S.A.


Résumé
Les états de surface aux interfaces semiconducteur-liquide sont caractérisés par électroréflectance électrolytique supra- et sub-bande interdite. Les états de surface peuvent se manifester, soit par des transitions optiques directes comme dans le cas de n - TiO2 - électrolyte aqueux, soit par leur effet sur la réponse du niveau de Fermi à de faibles variations du potentiel d'électrode comme dans le cas de monocristaux CdIn2Se4 dans des solutions de polysulfures.


Abstract
Supra bandgap and subband gap Electrolyte Electroreflectance is being used to characterize surface states at semiconductor liquid interfaces. The surface states can manifest themselves either through direct optical transitions as in the case of n - TiO2 - aqueous electrolyte interface or through their effect on the response of the Fermi level to small changes in the electrode potential as in the case of single crystal CdIn2Se4 in polysulfide solutions.