Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-131 - C10-134
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831028
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-131-C10-134

DOI: 10.1051/jphyscol:19831028

CHARACTERIZATION OF DIELECTRIC FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES BY LEAKY-MODES MEASUREMENT

J.-P. Gruson1, P.-J. Goirand1, F. Cochet2 et O. Parriaux2

1  On a B.Sc. stay from Institut National Polytechnique de Grenoble, France
2  Fondation Suisse pour la Recherche en Microtechnique, CH-2000 Neuchâtel, Switzerland


Résumé
Le concept et la technique de mesure des modes à fuite en optique intégrée sont utilisés pour la caractérisation de films diélectriques déposés sur des substrats absorbants et de haut indice de réfraction.


Abstract
The concept and measurement technique of leaky modes in integrated optics are applied to the characterization of dielectric films on lossy and high index substrates.