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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-63 - C10-66 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831012 | |
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-63-C10-66
DOI: 10.1051/jphyscol:19831012
Department of Electronic Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565, Japan
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-63-C10-66
DOI: 10.1051/jphyscol:19831012
A RETARDATION MODULATION ELLIPSOMETER FOR STUDYING FAST SURFACE TRANSIENTS
A. Moritani, Y. Okuda et S. NakaiDepartment of Electronic Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565, Japan
Résumé
Un ellipsomètre pouvant fonctionner avec des temps de réponse de l'ordre de 40 µs a été réalisé. Son utilisation est illustrée dans le cas de la croissance rapide de films anodiques sur GaAs.
Abstract
A high-speed ellipsometer has been constructed which can operate in microsecond orders. An example of the application to rapid growth of anodic films on GaAs is given.