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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-455 - C5-460 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983567 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-455-C5-460
DOI: 10.1051/jphyscol:1983567
REACTION KINETICS OF MoSi2 SILICIDE OBTAINED BY cw LASER ANNEALING OF Si (a) AND Sipoly/Mo BILAYERS
J. Torres, G. Bomchil, Y. Pauleau, Ph. Lami et G. AuvertCNET-CNS, B.P. 98, Chemin du Vieux Chêne, 38243 Meylan Cedex, France
Résumé
La cinétique de croissance du siliciure de molybdène MoSi2 a été étudiée par recuit laser en balayage de films de molybdène déposés sur du silicium amorphe ou polycristallin. Les cinétiques mesurées sont diffusionnelles dans certains cas, contrôlées par les réactions à l'interface dans d'autres cas. Le siliciure est obtenu facilement à partir du silicium amorphe. Nous avons comparé la rapidité de formation du siliciure par réaction du métal avec le silicium amorphe ou monocristallin.
Abstract
The growth kinetics of molybdenum silicide MoSi2 by cw scanned laser annealing of molybdenum films deposited on amorphous and polycrystalline silicon are studied. Silicide formation kinetics exhibits time dependence behaviour of interface controlled reaction in some cases and diffusion controlled reaction in others. Silicide formation with amorphous silicon occurs quite easily. Growth rates of silicide from metal reaction with monocrystalline and amorphous silicon are compared.