RECRYSTALLIZATION OF Si ON INSULATING SUBSTRATES BY USING INCOHERENT LIGHT SOURCES

Résumé
Cet article passe en revue les différents résultats obtenus dans la réalisation de films minces de Silicium déposés sur un substrat isolant et recristallisés à l'aide de faisceaux de radiations incohérentes. Ces systèmes de recuits utilisent soit des rubans de graphite chauffés, soit des lampes à halogène ou à arc. Dans tous les cas, on obtient de grandes surfaces monocristallines de silicium orientées <100>. Les études actuelles portent sur l'élimination ou la localisation à volonté des défauts résiduels (sous-joints de grains, précipités).

Abstract
This paper reviews the main results obtained to date in the recrystallization of thin Silicon On Insulator films by means of incoherent light sources. Different sources such as graphite heaters, halogen tungsten filament lamps and mercury arc lamps have been investigated. Large area monocrystalline <100> Si films have been obtained using these various means. The defects remaining in the films are discussed, i.e. grain and/or subgrain boundaries, precipitates and strain. Electrical measurements are also reported. Current research is devoted first to the design of appropriate set-ups and shaping of the energy beams and, second, to film patterning in an aim to reject grain boundaries out of the active areas of devices.