| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-73 - C5-76 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983510 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-73-C5-76
DOI: 10.1051/jphyscol:1983510
1 Istituto di Fisica, Fac. di Ingegneria, Università di Roma and GNSM-CNR, Italy
2 Istituto di Fisica, Fac. di Ingegneria, 2a Università di Roma and GNEQP-CNR, Italy
3 LAMEL-CNR, Bologna, Italy
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-73-C5-76
DOI: 10.1051/jphyscol:1983510
THERMAL CONDUCTIVITY MEASUREMENTS OF IMPLANTED Si
T. Papa1, F. Scudieri2, M. Marinelli3, U. Zammit3 et G. Cembali31 Istituto di Fisica, Fac. di Ingegneria, Università di Roma and GNSM-CNR, Italy
2 Istituto di Fisica, Fac. di Ingegneria, 2a Università di Roma and GNEQP-CNR, Italy
3 LAMEL-CNR, Bologna, Italy
Résumé
On a mesuré la phase du signal photoacoustique pour du Si amorphe obtenu par implantation ionique et évaporé. La détermination de la conductivité thermique est obtenue par le modèle à deux couches.
Abstract
We have measured photoacoustic-signal phase of ion implanted and evaporated Si. The values of thermal conductivity of amorphous layers have been determined by a two layer theoretical model.