Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
Page(s) C5-61 - C5-64
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983508
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials

J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-61-C5-64

DOI: 10.1051/jphyscol:1983508

PHOTOLUMINESCENCE IN HEAVILY DOPED Si AND Ge

J. Wagner1, A. Compaan2 et A. Axmann3

1  Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2  Department of Physics, Cardwell Hall, Kansas State University, Manhattan, Kansas 66506, U.S.A.
3  Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Eckerstr. 4, 7800 Freiburg, F.R.G.


Résumé
Nous présentons des spectres de photoluminescence à basse température mesurés sur une série d'échantillons de Si et de Ge dopés et implantés en ions lourds. En opérant un recuit laser sur les échantillons implantés, des concentrations de porteurs allant bien au-delà de la limite de solubilité à l'équilibre peuvent être obtenues (jusqu'à 1021 cm-3). De ces spectres nous déduisons des informations sur la bande interdite réduite ainsi que sur le remplissage des bandes en fonction de la concentration de porteurs.


Abstract
We report the results of low-temperature photoluminescence measurements on a series of bulk doped and heavily ion implanted Si and Ge samples. By laser annealing of the ion implanted samples carrier concentrations far above the equilibrium solubility limit (up to 1021 cm-3) were obtained. From this photoluminescence spectra, information on the reduced band gap and the band filling as a function of carrier concentration is obtained.