STABILITY OF POLYACETYLENE DOPED BY ION IMPLANTATION

Résumé
L'introduction d'impuretés dopantes dans des polymères tels que (CH)_x permet d'induire des propriétés semi-conductrices de type p ou n, ou même un régime de conduction métallique lorsque l'on augmente la concentration. Nous présentons de nouveaux résultats concernant la stabilité du polyacétylène dopé par implantation d'ions, vis à vis: (1) de la dégradation induite par l'irradiation ionique (2) de l'oxydation et (3) des traitements thermiques. Deux types de techniques ont été utilisées dans ce but : (1) la modification des propriétés électriques et (2) la microanalyse nucléaire pour la détermination du profil de distribution des différents éléments chimiques. En particulier, la résonance à 6385 keV de l'azote 15 a été utilisée pour déterminer la composition en hydrogène de la matrice en fonction de la profondeur. La répartition des différentes espèces dopantes et son évolution au cours des traitements a été étudiée par rétrodiffusion Rutherford.

Abstract
The introduction of doping impurities in polymers such as (CH)_x can induce n or p type semiconducting properties or a metallic regime when increasing the concentration. We present some new results on the stability of (CH) films doped by ion implantation, in respect to : (1) the degradation induced by the ionic irradiation, (2) oxidation, (3) thermal annealings. For that purpose two types of techniques have been used (1) modification of the electrical conductivity and (2) nuclear microanalysis for depth profiling of the different elements. In particular the nuclear resonance at 6385 keV of was used to determine the hydrogen composition of the matrix as a function of the depth. The repartition of the different doping species and the evolution with annealings was studied by Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS).