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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C3, Juin 1983
Conférence Internationale sur la Physique et la Chimie des Polymères ConducteursCONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION |
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| Page(s) | C3-591 - C3-594 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19833118 | |
Conférence Internationale sur la Physique et la Chimie des Polymères Conducteurs
CONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION
J. Phys. Colloques 44 (1983) C3-591-C3-594
DOI: 10.1051/jphyscol:19833118
Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, U.S.A.
CONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION
J. Phys. Colloques 44 (1983) C3-591-C3-594
DOI: 10.1051/jphyscol:19833118
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF AN ALUMINUM : TRANS-POLYACETYLENE : GOLD PHOTODIODE
D.L. Peebles, J.S. Murday, D.C. Weber and J. MillikenNaval Research Laboratory, Washington, DC 20375, U.S.A.
Résumé
Nous avons réalisé une photodiode comportant de l'aluminium, du trans-polyacétylène non dopé et de l'or. Nous avons mesuré ses caractéristiques électriques et trouvé un facteur de qualité de diode de 1,9 à température ordinaire, identique à celui d'une diode faite à partir du matériau fortement dopé.
Abstract
We have made an aluminum : trans-polyacetylene : gold photodiode from material not intentionally doped. We measured its electrical characteristics and found a room temperature diode quality factor of 1.9, similar to a diode made elsewhere from more heavily doped material.