Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C3, Juin 1983
Conférence Internationale sur la Physique et la Chimie des Polymères Conducteurs
CONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION
Page(s) C3-21 - C3-28
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983304
Conférence Internationale sur la Physique et la Chimie des Polymères Conducteurs
CONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION

J. Phys. Colloques 44 (1983) C3-21-C3-28

DOI: 10.1051/jphyscol:1983304

CHEMICAL N DOPING OF POLYACETYLENE

B. François and C. Mathis

Centre de Recherches sur les Macromolécules, CNRS, 6, Rue Boussingault, 67083 Strasbourg Cedex, France


Résumé
Le mécanisme du dopage N du polyacétylène (CH)x est discuté. Plusieurs nouveaux dopants tels que les sels carbanioniques de cations alcalins et le complexe dianionique de la benzophénone avec un cation tétraalkyl-ammonium sont présentés. On montre par des études de gonflement qu'un solvant polaire tel que le THF s'insère de façon réversible dans le (CH)x dopé N et que la solvatation du cation est l'élément moteur de cette insertion. Cette solvatation a une influence considérable sur la conductivité électrique (σ). Aux faibles taux de dopage σ est fortement augmentée par l'insertion de THF alors qu'elle est diminuée aux forts taux de dopage. Le dopage par du diphénylhexyl-lithium a été réalisé en milieu non polaire et la variation de σ avec le taux de dopage a été déterminée.


Abstract
The mechanism of polyacetylene N type doping is discussed. New dopants such as alkaline carbanionic salts and tetraalkyl-ammonium salt of dianionic benzophenone are reported. Swelling studies show that polar solvent such as THF inserts reversibly in N doped (CH)x and that the driving force of this insertion is the cation solvation energy. This solvation drastically influenceselectrical conductivity (σ). At low doping level σ strongly increases by THF insertion whereas σ decreases at high doping level. Doping with diphenylhexyl-lithium was performed in non-polar solvent and σ variation with doping level is presented.