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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C9, Décembre 1982
Physics of Non Crystalline SolidsProceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins Comptes rendus du 5ème Congrès International |
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| Page(s) | C9-327 - C9-330 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982961 | |
Proceedings of the 5th International Conference / Physique des Solides Non Cristallins
Comptes rendus du 5ème Congrès International
J. Phys. Colloques 43 (1982) C9-327-C9-330
DOI: 10.1051/jphyscol:1982961
INFLUENCE DE L' INTENSITE LUMINEUSE SUR LA PHOTOCONDUCTION DES COUCHES DE SELENIUM AMORPHE
D. Carles, G. Lefrançois et C. VautierL.E.C.A.P., B.P. 67, Faculté des Sciences, 76130 Mont-Saint-Aignan, France
Résumé
La photoconduction du sélénium amorphe est mesurée sur des couches minces préparées en ultra-vide. Les variations du photocourant Iph en fonction de l'intensité lumineuse F sont décrites par la relation Iph ˜ FX (avec 0,5<xx≤1). Les résultats expérimentaux montrent que x est une fonction décroissante de l'épaisseur des échantillons. La diffusion de défauts induits par la lumière permet d'interpréter les variations de x.
Abstract
Photoconductivity measurements of amorphous selenium are made on thin films prepared in ultra high vacuum conditions. The variations of the photocurrent Iph versus light intensity F are given by Iph ˜ FX (0,5<x≤1). The experimental data show that x is a decreasing function of the sample thickness. The variations of x are interpreted in terms of diffusion of photoinduced defects.