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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-387 - C1-390 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982152 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-387-C1-390
DOI: 10.1051/jphyscol:1982152
RECRISTALLISATION PAR FUSION DE ZONE DE Si SUR SiO2 A L'AIDE DE LAMPES A HALOGENE
M. Haond1, D. Bensahel1, D.P. Vu1 et M. Dupuy21 CNET Grenoble, BP 42, 38240 Meylan, France
2 CENG-LETI, 85X, 38000 Grenoble, France
Résumé
Nous sommes parvenus, en utilisant des lampes à halogène de faible puissance, à fabriquer, par fusion de zone, un substrat monocristallin orienté <100>, de grande surface, sur un isolant. Ce substrat est constitué de sous-grains faiblement désorientés, ne contenant pas de défauts internes. Ces sous-grains sont délimités par des sous-joints formés de dislocations empilées. Des précipités apparaissent le long de ces sous-joints au cours de la recristallisation.
Abstract
By using low power halogen lamps, we have obtained a large area <100> - oriented monocristalline substrate on an insulator, through a zone-melting recrystallization technique. This substrate is made of defect-free subgrains. These subgrains are delineated by low angle subboundaries made of discrete dislocations. During the recrystallization, precipitates grow along the subgrain boundaries.