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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-369 - C1-374 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982149 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-369-C1-374
DOI: 10.1051/jphyscol:1982149
MOBILITE EFFECTIVE DANS LE CANAL D'INVERSION D'UN TRANSISTOR MOSFET REALISE DANS UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
A. Mercier, M. El Koosy, A. Le Glaunec et E. Le TiranEcole Supérieure d'Electricité, Antenne de Rennes, Avenue de la Boulais, B.P. 20, 35510 Cesson Sévigné, France
Résumé
Nous avons étudié les caractéristiques électriques de transistors MOSFET réalisés dans une couche de silicium polycristallin déposé par LPCVD et dopé par implantation ionique. La mobilité effective des porteurs dans le canal formé par inversion, déduite de la mesure de la conductance augmente avec la tension appliquée sur la grille ; elle est activée thermiquement et l'énergie d'activation qui est de même nature que la barrière de potentiel aux joints de grains décrite par Seto, décroît lorsque|VG| augmente.
Abstract
We studied the electrical characteristics of MOSFET transistors fabricated in polycrystalline silicon films deposited by LPCVD technique and doped by ion implantation. The effective mobility of the carriers in the inverted channel has been calculated from the conductance measurements.This mobility increases with the gate applied voltage, it is thermally activated and the energy of activation is the same as the potential barrier at the grain boundaries described by Seto, this barrier has been found to decrease when |VG| increases.