Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-271-C1-276
DOI: 10.1051/jphyscol:1982137

STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF CVD SILICON FILMS NEAR THE CRYSTALLIZATION TEMPERATURE

J. Magariño¹, D. Kaplan¹, R. Bisaro¹, J.F. Morhange² et K. Zellama<sup>3

1</sup>  THOMSON-CSF, Laboratoire Central de Recherches, Domaine de Corbeville, 91401 Orsay Cedex, France
²  Laboratoire de Physique des Solides de l'Université Pierre et Marie Curie, 4, Place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
³  Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris VII, 2, Place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France

Résumé
Nous avons examiné les propriétés structurales de films déposés par C.V.D. dans la gamme de température 600-750°C avec une attention particulière sur la répartition en volume des cristaux pour les films déposés autour de la température de cristallisation. Nous démontrons que le mécanisme général de cristallisation déterminant la structure est celui de dépôt de matériau amorphe suivi de cristallisation dans la phase solide pendant la durée du dépôt. Ce processus dans la phase solide apparaît par une nucléation prédominante à l'interface film-substrat. Les implications de ceci sur la morphologie et les propriétés physiques des films seront discutées.

Abstract
We have examined the structural properties of films grown by CVD in the range of temperatures 600-750°C. with particular emphasis on the volume repartition of crystals for films deposited around the crystallization temperature. We find that the general crystallization mechanism which determines the structure is one of deposition of an amorphous material followed by subsequent solid phase crystallization during the deposition time. This solid phase process occurs through a dominant nucleation at the film-substrate interface. The implications of this on the physical properties and morphology of these films will be discussed.