Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-219 - C1-228
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982130
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-219-C1-228

DOI: 10.1051/jphyscol:1982130

RECRISTALLISATION DE Si POLY PAR FAISCEAUX D'ENERGIE

D. Bensahel et G. Auvert

CNS, CNET, B.P. 42, 38240 Meylan, France


Résumé
Cet article passe en revue différents résultats obtenus lors de la recristallisation de Si poly avec des faisceaux d'énergie : laser, électron, ou plus récemment barreau de graphite, lampes. Suivant la puissance transférée dans les couches, la recristallisation peut se passer en phase solide, ou en phase liquide. Le recuit phase solide a surtout été utilisé pour améliorer les performances de dispositifs déjà existants alors qu'avec le passage par la phase liquide, on pourra disposer de substrats utilisables en VLSI. Dans ce dernier cas, la stabilité de l'interface liquide-solide, les encapsulants et la croissance volontairement orientée sont discutés.


Abstract
Recently developped methods for fast and localized annealing such as laser and e-beam crystallization have spurred interest in this field. We review the results obtained in material research, more particularly growth kinetics of poly-Si in the solid phase. In the liquid phase case, results open up to possibility of monocrystalline layers with <100> crystallographic orientation. According to the different methods, we can obtain crystallized islands with lasers or large sheets with graphite strip heaters.