LA DIFFUSION INTERGRANULAIRE DANS LE SILICIUM

Résumé
La diffusion du phosphore et de l'antimoine est étudiée dans différents matériaux : polycristaux non dopés préparés par recristallisation de silicium CVD, polycristaux Wackers et bicristaux d'orientation contrôlée,dopés p. Les techniques utilisées sont les radioéléments et la révélation chimique de la jonction. Les mesures effectuées avec radioéléments donnent un ensemble de résultats comparables à ceux obtenus avec les métaux. Les traitements thermiques et le carbone ont peu d'influence sur les coefficients mesurés. La cohérence de ces résultats malgré la diversité des matériaux pourrait s'expliquer par la "banalisation" des joints du fait de la ségregation de l'oxygène. Les profils de jonction au voisinage des joints dans les bicristaux sont considérablement modifiés par les traitements thermiques. Ce résultat très important laisse prévoir des difficultés pour réaliser, avec une bonne reproductibilité, des profils de jonction dans des matériaux polycristallins.

Abstract
Phosphorus and antimony diffusion is studied in different materials : intrinsic polycrystals prepared by recrystallization of CVD silicium, Wackers polycrystals and p-type bicrystals. Radioelements and chemical etching of the junction are both used for this study. The measures made with radioelements lead to a set of consistent results similar to those obtained in metals. The diffusion coefficients are not very influenced by the thermal treatments and the presence of carbon. These results do not depend on the polycrystal preparation. This fact could be explained by an oxygen segregation which makes trivial all the grain boundaries. In bicrystals, the junction profile near the boundary changes a lot according to the thermal treatment. This very important result show off some difficulties to make reproducible junction profiles in polycristalline materials.