Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-159 - C1-164
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982122
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-159-C1-164

DOI: 10.1051/jphyscol:1982122

OPTICAL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE THIN FILMS OF GaAs OBTAINED BY MBD

C. Paparoditis, A. Rideau, G. Monnom et Ph. Gaucherel

Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Laboratoire associé au CNRS, N° 190, Université de Nice, Parc Valrose, 06034 Nice Cedex, France


Résumé
Des couches minces polycristallines d'arséniure de gallium caractérisées par un degré variable de désordre ont été préparées par la méthode des jets moléculaires dans un vide classique. Des substrats de différentes natures ont été utilisés : pyrex, silice fondue, fluorine. Un désordre croissant a pu être observé par l'abaissement de la température du substrat (Ts). Ces couches ont pu être caractérisées à l'aide de la diffraction des rayons X. Dans ce travail, on présente les propriétés les plus marquantes obtenues par des mesures de transmission et de réflexion optiques, notamment dans les régions du proche uv et de l'infrarouge lointain, en liaison avec les conditions de préparation ; la température Ts et le rapport As/Ga de l'intensité des jets étant les paramètres principaux. Les épaisseurs des couches s'échelonnent entre 400 Å et 2.6µm.


Abstract
Gallium arsenide polycrystalline thin films of various degrees of disorder have been prepared by molecular beam deposition in a conventional vacuum system. Different substrates have been used : pyrex, fused silica and fluorine. Increasing degree of disorder is obtained by lowering the substrate temperature (Ts). Characterization was obtained by means of x-ray diffraction. The most striking optical properties obtained by transmission and reflection measurements, mainly in the near-uv and far-infrared range, are presented in relation with the preparation conditions, where the main parameters are Ts and As/Ga beam ratio. Thicknesses range between 400 Å and 2.6µm.