GLIDE OF PARTIAL DISLOCATIONS IN SILICON

Résumé
La reconstruction des dislocations partielles aboutit à des bandes remplies séparées de bandes vides par un intervalle assez grand. Ceci conduit à un problème pour identifier les centres responsables du comportement de la RPE et de l'effet Hall. Nous avons envisagé que les centres forment les limites entre les deux sens possibles de la reconstruction des dislocations partielles, qui possèdent les caractéristiques générales des "solitons". Nous avons trouvé que ces solitons engendrent des niveaux dans la bande interdite qui pourraient expliquer les résultats de RPE et d'effet Hall. Nous proposons un mécanisme de déplacement des dislocations, par l'intermédiaire des solitons qui donne les mêmes résultats que ceux mentionnés dans la théorie de Hirsch, et en plus, explique la différence de mobilité des partielles d'entrée et de fuite. Les résultats théoriques et expérimentaux vont dans le sens de ce mécanisme et de l'existence des solitons dont il dépend.

Abstract
Reconstruction of partial dislocations leads to filled bands separated by a reasonably large gap from empty ones. This leads to a problem as to the identification of centres responsible for e.s.r. and Hall effect behaviour. We investigated the suggestion that these centres were boundaries between the two possible senses of reconstruction of partial dislocations, which have the general properties of solitons. We found these solitons gave rise to statesin the gap which could account for both e.s.r. and Hall effect results. A mechanism for dislocation motion mediated by solitons is proposed, which leads to the same results as the theory of Hirsch and, in addition, explains the observed difference in mobility between leading and trailing partials. Evidence from theory and experiment is presented in support of both this mechanism and the existence of solitons on which it depends.