BALLISTIC TRANSPORT IN SEMICONDUCTORS : A DISPLACED MAXWELLIAN FORMULATION

Résumé
Le formalisme de la Maxwellienne Déplacée, décrivant le transport d'électrons chauds dans les semiconducteurs, est étendu aux régimes non stationnaires où les temps de transit des porteurs dans les composants sont comparables aux différents temps de relaxation. Cette approche est appliquée au Silicium et à l'Arseniure de Gallium pour différentes températures afin de décrire la réponse d'un gaz d'électrons à une discontinuité spatiale ou temporelle du champ électrique. Les résultats des calculs sont analysés en termes de libre parcours balistique du gaz d'électrons dans le semicondeur.

Abstract
The Displaced Maxwelllan formulation for hot carrier transport in semiconductors is extended to non stationary conditions, where transit time of carriers in devices has the same order of magnitude as the different relaxation times. It has been applied to Si and GaAs at various lattice temperatures in order to describe the response of the electron gas to step changes in the electric field magnitude with respect to the time and space variables. The results of calculations are analyzed in terms of ballistic mean free path of the electron gas in the semiconductor.