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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-221 - C7-226 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981726 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-221-C7-226
DOI: 10.1051/jphyscol:1981726
Nagoya University, Department of Electronics, Chikusa-ku, Nagoya 464, Japan
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-221-C7-226
DOI: 10.1051/jphyscol:1981726
HOT HOLES AND NOISE IN SPACE CHARGE LIMITED CURRENT FLOW IN P-TYPE SILICON
N. Sawaki, T. Ishikawa, M. Morohashi et T. NishinagaNagoya University, Department of Electronics, Chikusa-ku, Nagoya 464, Japan
Résumé
Le coefficient de diffusion et le bruit de porteurs chauds dans le silicium de type p sont étudiés à la température 77 - 300 K à l'aide de méthode de l'équation du moment. Ces résultats théoriques fondés sur un modèle ayant une bande parabolique sont comparés aux résultats expérimentaux mentionnés dans la littérature.
Abstract
By using the moment equation method with a displaced Maxwellian, the diffusion coefficient and the noise of the hot holes in Si were investigated at 77 - 300 K. The results based on a parabolic energy band structure were compared with experimental results in literatures.