A SEMIPARTICULAR SIMULATION TO STUDY HIGH FREQUENCY BEHAVIOUR OF HOT CARRIERS IN IMPATT DEVICES

Résumé
Les auteurs présentent une simulation semi-particulaire de la génération et du transit des porteurs chauds dans les structures semi-conductrices unidimensionnelles soumises à une tension alternative superposée à la tension statique d'avalanche. Ce modèle est basé sur le formalisme proposé par HOCKNEY étendu aux cas : - où l'ensemble des paramètres de transport sont fonction de l'énergie comme cela avait été fait dans le modèle de PÔNE [1] - où une description microscopique de l'ionisation à l'aide des coefficients d'ionisation, également fonctions de l'énergie, est incluse. Une telle simulation permet de tenir compte de tous les effets connus de dynamique non-stationnaire des porteurs chauds (survitesse, diffusion, relaxation).

Abstract
A semi-particular simulation of generation and transit of hot carriers in unidimensional semi-conductor structure, subjected to an ac voltage superposed on the breakdown dc voltage, is presented. The model is based upon the HOCKNEY formalism with two significant improvements : - all the parameters of transport are assumed to be functions of the carriers energy as it was done in PÔNE model [1] - a microscopic description of the ionizing event by means of ionization coefficients, functions also of the energy, is included. Therefore, the model takes into account all known nonstationary hot electron dynamic effects (velocity-overshoot, diffusion, relaxation).