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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-19 - C7-24 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981702 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-19-C7-24
DOI: 10.1051/jphyscol:1981702
1 Osaka University, Faculty of Engineering, Suita, Osaka, Japan
2 Fujitsu Laboratovries Ltd., Nakahara-ku, Kawasaki, Kanagawa, Japan
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-19-C7-24
DOI: 10.1051/jphyscol:1981702
HOT ELECTRON EFFECTS IN A 2D ELECTRON GAS AT THE GaAs/AlGaAs INTERFACE
M. Inoue1, S. Hiyamizu2, H. Hida1, H. Hashimoto2 et Y. Inuishi11 Osaka University, Faculty of Engineering, Suita, Osaka, Japan
2 Fujitsu Laboratovries Ltd., Nakahara-ku, Kawasaki, Kanagawa, Japan
Résumé
On décrit ici les effets de porteurs chauds dans un gaz d'électrons bi-dimensionnel à très haute mobilité. Les caractéristiques V-E et Te déduites expérimentalement nous ont donné des informations importantes. Les effets d'écran dus aux interactions électron-électron sont aussi discutés.
Abstract
Hot electron effects of two dimentional electron gas with ultrahigh mobility are described. V-E characteristics and experimentally derived Te gave us important information. The effects of (e,e) scattering and screening are also discussed.