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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C4, Octobre 1981
Proceedings of the Ninth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors
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| Page(s) | C4-881 - C4-884 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19814193 | |
Proceedings of the Ninth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C4-881-C4-884
DOI: 10.1051/jphyscol:19814193
1 Laboratoire d'Optique des Solides, Equipe de Recherche associée au C.N.R.S. N° 462, Université Pierre et Marie Curie, 4 place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2 Département de Physique des Matériaux, Laboratoire associé au C.N.R.S. N° 172, Université Claude Bernard, Lyon I, 69621 Villeurbanne, France
J. Phys. Colloques 42 (1981) C4-881-C4-884
DOI: 10.1051/jphyscol:19814193
ELECTRONIC PROPERTIES OF FLASH-EVAPORATED AMORPHOUS GaSb FILMS
A. Gheorghiu1, T. Rappeneau,1, J.P. Dupin2 and M.L. Theye11 Laboratoire d'Optique des Solides, Equipe de Recherche associée au C.N.R.S. N° 462, Université Pierre et Marie Curie, 4 place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2 Département de Physique des Matériaux, Laboratoire associé au C.N.R.S. N° 172, Université Claude Bernard, Lyon I, 69621 Villeurbanne, France
Abstract
The optical and transport properties of flash-evaporated amorphous GaSb thin films are described as a function of preparation conditions. The results for nearly-stoichiometric samples are discussed in relation with the presence of defects. The influence of Sb excess is also considered.