PLASTIC DEFORMATION AND ELECTRONIC MECHANISMS IN SEMICONDUCTORS AND INSULATORS

Résumé
On propose ici que les décrochements sur les dislocations soient associés à des états chargés dans la bande interdite des semi-conducteurs et des isolants, et que la vitesse des dislocations et donc les propriétés plastiques soient fonction de la position du niveau de Fermi. La théorie est appliquée à l'effet du dopage sur la vitesse des dislocations dans Si et Ge, et l'on discute la mise en cause de ce mécanisme lors de l'effet "hydrolytic weakening" dans le quartz.

Abstract
It is proposed that dislocation kinks are associated with charged states in the energy gap of semiconductors and insulators, and that the dislocation velocity and therefore the plastic properties are a function of the position of the Fermi level. The theory is applied to the doping effect on dislocation velocity in Si and Ge, and the possible relevance of the mechanism to the "hydrolytic weakening" effect in quartz is discussed.