Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
Page(s) C6-327 - C6-330
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980683
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS

J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-327-C6-330

DOI: 10.1051/jphyscol:1980683

Diffusion study of oxygen implanted in nickel oxide

M. Meyer, S. Barbezat, C. El Houch et R. Talon

Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S., 1, place A.-Briand, 92190 Meudon, France


Résumé
L'étude de la diffusion de l'oxygène 18 implanté dans des monocristaux d'oxyde de nickel a été réalisée dans un domaine de température compris entre 1300 et 1500 °C en utilisant des doses de 1017 ions/cm2. Les profils de concentration en oxygène 18 obtenus après implantation et après recuit de diffusion sont mesurés à l'aide d'un analyseur à émission ionique secondaire. Les valeurs des coefficients de diffusion D sont déterminées en ajustant sur chaque profil expérimental une courbe théorique correspondant à l'évolution par diffusion d'un profil gaussien. Ces valeurs sont en bon accord avec celles des coefficients d'autodiffusion de l'oxygène dans l'oxyde de nickel, mesurées récemment, par échange isotopique, dans le même domaine de température.


Abstract
The study of the diffusion of 18 oxygen implanted in NiO single crystals has been carried out between 1300 and 1500 °C with implanted ion doses of 1017 ions/cm2. The 18O concentration profiles are measured after the implantations and the diffusion anneals with a secondary ion beam microanalyzer. The diffusion coefficients values are obtained by fitting to the experimental profiles, theoretical curves giving the diffusion profiles corresponding to initial gaussian distributions. These values are in good agreement with those of the oxygen self-diffusion coefficients measured recently by isotope exchange in the same temperature range.