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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-185 - C5-188 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980532 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-185-C5-188
DOI: 10.1051/jphyscol:1980532
PRESSURE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES OF EuB6
G. Weill1, I.A. Smirnov2 et V.N. Gurin21 Laboratoire de Physique des Solides, CNRS, Bellevue, France
2 A.F. Ioffe, Physico Technical Institute, Leningrad, USSR.
Résumé
Des mesures d'effet Hall, de résistivité et de magnétorésistance ont été effectuées dans le domaine 4,2 - 300 K, sous pression hydrostatique jusqu'à 7 kbar, sur des monocristaux du composé semiconducteur magnétique EuB6 préparés par réaction en solution dans Al. Le pic, qui se manifeste dans la courbe résistivité / température à une température Tp liée à la température d'ordre ferromagnétique, est déplacé par la pression d'une quantité dTp/dP = + 0,3 K/kbar. Le signe et la grandeur des coefficents de pression de la résistivité et de l'effet Hall laissent penser que la pression induit une réduction de l'intervalle d'énergie entre les niveaux 4f et 5d - 6s de l'Europium, plutôt qu'un changement de 2+ vers 3+ dans la valence du cation.
Abstract
Single crystals of the magnetic semiconducting compound EuB6 have been prepared using the Al flux technique. Resistivity, Hall effect and magnetoresistance measurements have been performed in the 4.2 - 300 K range, under hydrostatic pressure up to 7 kbar. The resistivity peak occuring at Tp, correlated to the ferromagnetic ordering temperature is shifted by dTp/dP = + 0.3 K/kbar when pressure is applied. The sign and magnitude of the pressure coefficients of resistivity and Hall constant suggest that pressure induces a decrease of the "energy gap" between the 4f and 5d- 6s levels of Eu rather than a change from 2+ to 3+ of the cation valence state.