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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-39 - C5-41 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980507 | |
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-39-C5-41
DOI: 10.1051/jphyscol:1980507
1 Groupe de Physique des Solides de l'E.N.S., Université Paris VII, 2, Place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05
2 Institut de Physique - Université de Varsovie.
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-39-C5-41
DOI: 10.1051/jphyscol:1980507
EXCHANGE INDUCED IONIZATION OF BOUND EXCITONS IN Cd1-xMnxTe
R. Planel1, J. Gaj2 et C. Benoit a la Guillaume11 Groupe de Physique des Solides de l'E.N.S., Université Paris VII, 2, Place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05
2 Institut de Physique - Université de Varsovie.
Résumé
On étudie la luminescence de Cd1-xMnxTe sous champ magnétique et à basse température. Etant donnés les "splittings" géants de l'excition libre, sa composante basse énergie peut descendre au delà des niveaux d'excitons piégés. Ainsi, ceux-ci cessent d'être stables.
Abstract
The luminescence of Cd1-xMnxTe is studied under magnetic field, at low temperature. As a consequence of the giant splittings of the free exciton, its lower energy component may pass beyond the hound exciton levels. Thus, the latter is no more stable.