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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-9 - C5-14 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980502 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-9-C5-14
DOI: 10.1051/jphyscol:1980502
PHOTOTHRESHOLDS OF MAGNETIC SEMICONDUCTORS
F. MeierLaboratorium für Festkörperphysik, ETH Hönggerberg, CH-8093 Zürich, Suisse.
Résumé
En refroidissant en-dessous du point d'alignement des moments nagnétiques, un déplacement du seuil photoélectrique a été observé dans les semiconducteurs EuO + x % La ou Gd, CdCr2S4 de type n et Fe0,91O. L'ampleur du déplacement atteint 0,5 eV dans EuO pour une certaine dotation, tandis que dans le cas du Fe0.91O l'effet n'est que de quelques milliélectrons-volts. Des mécanismes expliquant ces déplacements sont discutés.
Abstract
By cooling below the magnetic ordering temperature changes of the photothreshold have been observed for the semiconductors EuO + x % La or Gd, n-type CdCr2S4 and Fe0.91O. The magnitude of the effect is as large as 0.5 eV for suitably doped EuO, whereas it amounts to only a few milli-eV in the case of Fe0.91. Possible mechanisms underlying the threshold shift are discussed.