STRAIN RELAXATION EFFECTS IN Pb-ALLOY JOSEPHSON TUNNEL JUNCTIONS

Résumé
La relaxation de contrainte a été mesurée, pendant un refroidissement à 4.2 K, dans les couches minces des alliages de plomb déposées sur des supports de silicium. Le pourcentage de la relaxation s'est trouvé être fortement dépendant de l'épaisseur h des couches, augmentant de ~ 0,2 % à 0,6 % lorsque h était augmenté de 0,2 à 1 µm. On montre que la dégradation des jonctions tunnel Josephson fabriquées avec des couches minces d'alliage de plomb est due à la formation d'un micropont d'environ 1000 Å à travers la jonction tunnel. La formation de ces microponts peut-être attribuée à une contrainte de relaxation dans les électrodes de jonction.

Abstract
Strain relaxation has been measured in Pb-alloy films on Si substrates during cooling to 4.2K. The amount of strain relaxed was found to be strongly dependent on the film thickness h increasing from about 0.2 to 0.6 % as h was increased from 0.2 to 1 µm. The failure of Josephson tunnel junctions made with similar Pb-alloy films was shown to occur by the formation of a microbridge of about 1000 Å size through the tunnel barrier. It is proposed that the microbridge forms due to strain relaxation in the junction electrodes.