DINGLE TEMPERATURE IN HgSe

Résumé
L'élargissement par collisions des états électroniques au niveau de Fermi (température de Dingle) est calculé dans la première approximation de Born pour la diffusion par des impuretés ionisées. Les calculs tiennent compte de la non parabolicité de la bande de conduction et de la symétrie de la fonction d'onde des semiconducteurs zinc-blende de petit gap et gap nul. On montre que les températures de Dingle dans HgSe déduites des expériences présentées (effect Shubnikov-de Haas) et des mesures publiées précédemment sont en accord avec les calculs effectués pour la diffusion par donneurs une fois ionisés.

Abstract
The low temperature collision broadening of electron States at the Fermi level (Dingle temperature) is calculated in the first Born approximation for ionized impurity scattering. The calculations take into account the conduction band nonparabolicity and wave function symmetry of small and zero-gap zinc-blende semiconductors. It is shown that Dingle temperatures in HgSe deduced from the present measurements and from previously reported measurements of the Shubnikov-de Haas effect are in agreement with calculation performed for single-ionized donor scattering.