STUDIES OF DIODE PROPERTIES IN SOLID HELIUM

Résumé
On présente des résultats concernant des transports de charge dans ³He et ⁴He solides. On a mesuré des caractéristiques de diode statiques J(U) à température constante, la variation thermique J(T) pour différentes tensions continues U et des caractéristiques dynamiques transitoires J(t) en réponse à des tensions appliquées en fonction de Heaviside. On compare les énergies d'activation de la diffusion des charges dans ³He avec les énergies d'activation pour des défauts ponctuels étudiés par d'autres méthodes.

Abstract
The results of some investigations of charges movement is solid ³He and ⁴He are reported. It has been measured the static characteristics of diode J(U) at a constant temperature T, current dependencies J(T) at different voltages U applied and dynamic transitional characteristics J(t) on step connection of U. Activation energies of charges diffusion in ³He are compared with the activation energies of point defects obtained by another methods.