Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 39, Numéro C2, Juin 1978
CONGRÈS DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
Défauts de structure dans les solides non métalliques
Physique des polymères non cristallins
Phénomènes de Transport dans les solides :
Nouvelles orientations et progrès récents
Page(s) C2-25 - C2-32
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1978205
CONGRÈS DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
Défauts de structure dans les solides non métalliques
Physique des polymères non cristallins
Phénomènes de Transport dans les solides :
Nouvelles orientations et progrès récents

J. Phys. Colloques 39 (1978) C2-25-C2-32

DOI: 10.1051/jphyscol:1978205

INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PHÉNOMÈNES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS

J. L. FARVACQUE

Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, Université des Sciences et Techniques de Lille, B.P. 36, 59650 Villeneuve d'Ascq, France


Résumé
Cet article revoit brièvement les principales propriétés électriques des dislocations dans les semiconducteurs. Dans les semiconducteurs covalents, le rôle essentiel des dislocations est lié à leurs charges de coeur affectant aussi bien la densité des porteurs libres que leur mobilité. Dans le cas du tellure, où certains types de dislocations n'introduisent pas de porteurs supplémentaires, apparaissent plus nettement des effets de diffusion reliés au champ de déformation. Ces différents effets de diffusion sont discutés à l'aide de calculs de mobilité effectués par la méthode de l'énergie perdue.


Abstract
This paper reviews briefly the electrical properties of dislocations in semiconductors. While in covalent semiconductors, the main effects are related to the dislocation core charges, in the case of tellurium, for instance, where some dislocations do not introduce extra free carriers, diffusion phenomena occur connected to the dislocation strain field. Both diffusion effects are discussed with help of the energy loss method mobility calculations.