Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C6, Décembre 1976
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
Page(s) C6-923 - C6-925
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19766198
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer

J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-923-C6-925

DOI: 10.1051/jphyscol:19766198

DEFECT 119Sn ATOMS AFTER NUCLEAR DECAYS AND REACTION IN SnSb AND SnTe

F. AMBE1, 2 and S. AMBE1, 3

1  The Institute of Physical and Chemical Research, Wako-shi, Saitama, 351 Japan
2  FB8 Karnchemie, Technische Hochschule Darmstadt, 61 Darmstadt, West Germany.
3  FB8 Karnchemie, Technische Hochschule Darmstadt, 61 Damstadt, West Germany.


Résumé
On a étudié par spectroscopie d'émission le site des atomes 119Sn créés par capture électronique et réaction protonique dans SnSb et SnTe. Dans Sn119Sb et Sn119mTe, les atomes 119Sn ont été trouvés dans les sites de Sb ou Te des matrices. Les atomes de recul 119Sb créés par réaction protonique, ont été trouvés uniquement dans les sites de Sb dans SnSb alors que dans SnTe ils sont distribués dans les sites de Sn et Te.


Abstract
The lattice position of 119Sn atoms after EC decays and a proton-reaction was studied in SnSb and SnTe by emission spectroscopy. In Sn119Sb and Sn 119mTe, defect 119Sn atoms were found in the Sb or Te site of the matrices. The 119Sb recoil atoms after the proton reaction were found only in the Sb site of SnSb, but they were distributed between both the Sn and Te sites of SnTe.