CORRÉLATIONS ET DÉSORDRE DANS LE PROBLÈME DU GEL MAGNÉTIQUE DES PORTEURS DANS LES SEMICONDUCTEURS DOPÉS

Résumé
La formation, sous l'action d'un champ magnétique quantifiant, d'un état lié à un centre donneur dans un semiconducteur dopé constitue un bon exemple de transition isolant-métal dans lequel les corrélations électroniques et le désordre jouent à la fois un rôle important dans le mécanisme de conduction. L'utilisation d'une méthode variationnelle (énergie de l'état lié) permet de calculer la variation de la concentration en porteurs libres en fonction du champ magnétique et de la température et de la comparer aux résultats expérimentaux. En particulier, il est possible de calculer les conditions d'apparition du régime d'énergie d'activation de conductivité (concentration en impuretés, champ magnétique).

Abstract
The formation, under the influence of a quantizing magnetic field, of a bound state around a (hydrogenic) donor center in a doped semiconductor, offers a typical example of a metalnon metal transition in which both correlations and disorder are important to define the conduction mechanism. Using a variational method (energy of the bound state) allows one to calculate the magnetic-field and temperature dependences of the free carrier concentration and to compare them to experimental data. In particular, we are able to estimate the critical conditions (impurity concentration, magnetic field) for occurrence of an energy activated conductivity regime.