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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-101 - C3-104 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975319 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-101-C3-104
DOI: 10.1051/jphyscol:1975319
THE p-CuInSe2/n-CdS HETERODIODE : PHOTOVOLTAIC DETECTOR, SOLAR CELL AND LIGHT EMITTING DIODE
S. WAGNER1, J. L. SHAY1 and H. M. KASPER21 Bell Laboratories Holmdel, New Jersey 07733, U. S. A.
2 Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey 07974, U. S. A.
Résumé
Dans le cadre de notre programme exploratoire sur les possibilités d'applications des composés ternaires de type chalcopyrite, nous avons préparé des hétérodiodes CuInSe2/CdS. Ce sont des détecteurs photovoltaïques ayant un rendement quantique de 70 % dans la région spectrale de 550 à 1 250 nm. Dans une configuration de cellule solaire, une conversion de puissance a été obtenue avec un rendement d'environ 12 %. A température ambiante, ces hétérodiodes sont électroluminescentes sous polarisation continue directe avec un pic vers 1 400 nm.
Abstract
In our exploratory program on the device potential of ternary chalcopyrite type compounds, we have prepared CuInSe2/CdS heterodiodes. These diodes are 70 % quantum efficient photovoltaic detectors in the wavelength range from 550 to 1 250 nm. In a solar cell configuration a power conversion efficiency of ~ 12 % has been reached. The heterodiodes electroluminesce under cw forward bias at room temperature with a peak near 1 400 nm.