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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-73 - C3-75 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975314 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-73-C3-75
DOI: 10.1051/jphyscol:1975314
ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnGeP2 AND CdGeP2
A. MILLER1 and W. CLARK21 Heriot-Watt University, Edinburgh, U. K.
2 University of Bath, Bath BA2 7AY, U. K.
Résumé
On a mesuré les propriétés électriques de cristaux de ZnGeP2 et CdGeP2, obtenus à partir d'une solution de plomb. ZnGeP2 est de type p, il a une résistivité de 2,3 x 103 Ω.cm à température ambiante et une énergie d'activation (compensée) de l'accepteur de 0,21 eV. La mobilité de Hall est d'environ 10 cm2/V·s et varie avec la température comme T1,22. CdGeP2 qui présente une transition de type p au type n à 284 K, a une résistivité de 106 Ω.cm et une énergie d'activation (compensée) de 0,2 eV. Les résultats ne sont pas typiques de ce qu'on peut attendre pour des propriétés de volume.
Abstract
The electrical properties of ZnGeP2 and CdGeP2 crystals grown from lead solution were measured. ZnGeP2 is p-type with a room temperature resistivity of 2.3 x 103 Ω-cm, and an acceptor activation energy (compensated) of 0.21 eV. Hall mobilities are about 10 cm2 V-1 s-1 with a temperature dependence of µ ∝ T1.22 CdGeP2 shows a p-type to n-type transition at 284 K with a resistivity of 106 Ω-cm and an acceptor activation energy (compensated) of 0.20 eV. The results are not typical of the expected bulk properties.