Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
Page(s) C3-67 - C3-71
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975313
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds

J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-67-C3-71

DOI: 10.1051/jphyscol:1975313

DIRECT AND WAVELENGTH MODULATED PHOTOCONDUCTIVITY AND PHOTOVOLTAÏC EXCITATION SPECTRA OF CuGaS2

P. ROCHON1, E. FORTIN1, J. P. ZIELINGER2 and C. SCHWAB2

1  Physics Department, University of Ottawa, Ottawa, Canada
2  Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide Université Louis Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France


Résumé
On a étudié la distribution spectrale de la photoconductivité et principalement celle de l'effet photovoltaïque - sans ou avec modulation de longueur d'onde - sur une barrière de Schottky Au-CuGaS2 à 300 K et 90 K. Les spectres révèlent, aux énergies supérieures et inférieures à celle de la bande interdite, plusieurs structures pouvant être reliées aux structures dans les spectres d'absorption, de réflectivité et de luminescence. La présence de pièges à électrons profonds est également révélée. Le transfert d'électrons, sous excitation optique, d'accepteurs compensés vers ces pièges provoque une augmentation de la conductivité et de la photosensibilité.


Abstract
The spectral distribution of the photoconductivity and, principally, of the photovoltaïc and wavelength modulated photovoltaïc effect for a Au-CuGaS2 Schottky barrier, has been studied at 300 K and 90 K. Several structures are observed in the spectra at energies above and below the gap, which can be related to absorption reflectivity or luminescence structures in the material. The presence of deep electron traps is also revealed. The transfer of electrons under optical excitation, from compensated acceptors to these traps enhances the dark conductivity at low temperatures and has a sensitizing effect on the photoconductivity.