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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-31 - C3-34 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975306 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-31-C3-34
DOI: 10.1051/jphyscol:1975306
HIGH TEMPERATURE LATTICE PARAMETERS OF ZnSiP2, ZnGeP2 AND CdGeP2
A. MILLER1, R. G. HUMPHREYS2 and B. CHAPMAN21 Department of Physics, Heriot-Watt University, Edinburgh, U. K.
2 School of Physics, University of Bath, U. K.
Résumé
Nous avons étudié la variation des paramètres cristallins des semiconducteurs à structure chalcopyrite, ZnSiP2, ZnGeP2 et CdGeP2 entre la température ambiante et 1 100 °C en utilisant un appareil de diffraction X à haute température. Pour les trois composés, la compression tétragonale croît avec la température. Nous avons interprété ces résultats en termes de dilatation des liaisons II-V et IV-V.
Abstract
The variation of the lattice parameters from room temperature to 1.100 °C have been studied for the chalcopyrite semiconductors, ZnSiPn2, ZnGeP2 and CdGeP2 using a high temperature X-ray camera. All three compounds show an increase in the tetragonal compression with temperature. The results are interpreted in terms of the thermal expansions of the II-V and IV-V bonds.