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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-25 - C3-25 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975304 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-25-C3-25
DOI: 10.1051/jphyscol:1975304
ÉTUDE DE DÉFAUTS DANS QUELQUES STRUCTURES CHALCOPYRITES
Y. MONTFORT, J. VIZOT and G. ALLAISGroupe de Cristallographie et Chimie du Solide, ERA 305, Université de Caen, 14032 Caen Cedex, France
Résumé
L'étude en microscopie électronique de composés à structure chalcopyrite a permis de caractériser les précipités et quelques défauts structuraux que l'on peut trouver dans ces composés. Des dislocations entières de vecteur de Burgers de type < 100 > ont été observées ainsi que des défauts d'empilement s'étendant sur un plan dense ou deux plans denses. Ils sont attribuables à la dissociation des dislocations < 100 > en deux et quatre dislocations partielles. La configuration de ces défauts d'empilement est discutée en tenant compte de la nature des premiers voisins des anions. La structure du composé ZnSnAs2 a été trouvée quelque peu différente de celle d'une chalcopyrite, son groupe de symétrie étant alors I[MATH] (S24).
Abstract
Precipitates and structural faults have been characterized by electron microscopy study of compounds with chalcopyrite structure. Perfect dislocations with < 100 > type Burgers vectors have been observed as well as some stacking faults lying on one or two close packed planes. So, one can expect a dissociation of the dislocation < 100 > in two or four partial dislocations. The configuration of these stacking faults is discussed with respect to the nature of the nearest neighbours of anions. The structure of the compound ZnSnAs2 has been found hardly different from a chalcopyrite, his space group is then I[MATH] (S24).