ÉTUDE DES STRUCTURES DE BANDE
RESONANT FIRST AND SECOND ORDER RAMAN SCATTERING IN Gap

Résumé
Nous discutons la variation de la section efficace de la diffusion Raman de premier et deuxième ordre en fonction de la fréquence du laser. Les mesures étaient effectuées au voisinage des bords de bande interdite E₀ et E₀ + Ɗ₀. La composante Ɖ₁₅ des tenseurs Raman montre une forte résonance à E₀, tandis que la composante Ɖ_l résonne fortement à E₀ et E₀ + Ɗ₀. Les résultats sont interprétés à l'aide d'une théorie qui suppose des bandes paraboliques s'étendant jusqu'à l'infini. La diffusion de deuxième ordre est produite principalement par des interactions électrondeux phonons excepté les fortes résonances qui correspondent à la création de deux phonons LO à k ≈ O et un phonon LO plus un phonon TO à k ≈ O également. On déduit de ces mesures plusieurs potentiels de déformation de l'interaction électron-deux phonons.

Abstract
The dependence on laser frequency of the scattering cross section for allowed and forbidden first order Raman scattering and for second order scattering is presented. The measurements were performed in the vicinity of the E₀ and E₀ + Ɗ₀ gaps. It is shown that the Ɖ₁₅ components of the Raman tensor exhibit a sharp resonance at E₀ while Ɖ1 components resonate both at E_o and E₀ + Ɗ₀. The results are interpreted in terms of a theory which assumes parabolic bands extending to infinity. The second order scattering is produced mainly by electrontwo phonon interaction vertices, except for the strongly resonant sharp peaks which correspond to the creation of two LO phonons with k ≈ O(Ɖ1) and one LO + one TO phonon with k ≈ L(Ɖ₁₅). From these measurements, values for the electron-two phonon deformation potentials are obtained [1], [2], [3].