Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
Page(s) C3-247 - C3-252
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974335
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite

J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-247-C3-252

DOI: 10.1051/jphyscol:1974335

ÉTUDE DE CENTRES PROFONDS DANS CdTe PAR DES MÉTHODES DE PHOTOCAPACITANCE

J. P. LASCARAY and Y. MARFAING

Laboratoire de Physique des Solides, CNRS, 92190 Meudon-Bellevue, France


Résumé
Une étude des centres profonds dans CdTe de type n, purifié par fusion de zone, a été menée à l'aide de mesures de photocapacitance utilisant une diode de Schottky Au-CdTe portée à 77 K. L'analyse détaillée des variations temporelles de la capacité permet de séparer les contributions de plusieurs niveaux et de caractériser chacun par sa position, sa section optique efficace et sa concentration. On met ainsi en évidence : 1) un centre comportant deux niveaux : l'un à Ec - 0,58 eV, l'autre à une énergie supérieure avec une concentration de 7,8 x 1011 cm-3, 2) un centre plus profond à Ec - 0,93 eV et une concentration de 5,4 x 1012 cm-3, 3) un niveau entouré d'une barrière de potentiel pour les électrons situé à Ec - 0,54 eV. Ces résultats sont interprétés en termes de centres double donneur et accepteur multiple. Cette assignation soulève le problème intéressant de la correspondance avec les défauts natifs prévus : VTe(ou Cdi) qui serait un donneur double et VCd qui serait un double accepteur.


Abstract
A study of deep centers in zone refined n type CdTe has been conducted by means of photocapacitance measurements performed on a Au-CdTe Schottky diode at the temperature of 77 K. The detailed analysis of the time variations of capacity allows us to separate the contributions of several centers and to determine for each one the level position, the optical cross section and the concentration. In this way we observe the following : 1) a center with two associated levels : one at Ec - 0.58 eV, the other one at a higher energy with a concentration of 7.8 x 1011 cm-3, 2) a deeper center at Ec - 0.93 eV with a concentration of 5.4 x 1012 cm-3, 3) a level surmonted by a potential barrier for electrons, located at Ec - 0.54 eV. These results are interpreted in terms of double donor and multiple acceptor centers. This assignment raises the interesting problem of the connection with the expected native defects : VTe (or Cdi) and VCd which would be a double donor and a double acceptor respectively.