APPLICATIONS DES PROPRIÉTÉS D'ÉLECTROLUMINESCENCE DES COMPOSÉS III-V

Résumé
On décrit les propriétés des diodes électroluminescentes et dispositifs d'affichage élaborés en GaAs, GaP et GaAsP. On précise dans chaque cas la nature des recombinaisons radiatives utilisées, les valeurs des efficacités quantiques internes et externes, la nature des limitations, les critères de choix relatifs à la structure des dispositifs. Enfin on dégage les progrès attendus ainsi que les perspectives offertes par les matériaux d'introduction plus récente tels que GaInP, GaAlAs et GaN.

Abstract
The electroluminescence properties of GaAs, GaP and GaAsP diodes and displays are described. In each case, the nature of radiative recombinations, the internal and external quantum efficiency values, the limitations, the choice criteria dealing with the device structure are precized. In conclusion, the expected improvements and the possibilities offered by more recently introduced materials such as GaInP, GaAlAs and GaN are presented.