TRAPPING OF MOBILE INTERSTITIALS DURING IRRADIATION OF ALKALI HALIDES

Résumé
Dans de nombreux halogénures alcalins il existe un assez large domaine de température dans lequel les interstitiels anioniques créés par irradiation sont très mobiles alors que les lacunes concomitantes ne le sont pas. Dans ces conditions, il est possible de déduire des équations simples pour la vitesse de formation de lacunes stables (centres F) et la vitesse de disparition de bilacunes (centres F₂) introduites au préalable. La comparaison des résultats prédits par ces équations aux résultats expérimentaux dans KCl a donné des valeurs du taux de production des centres F primaires dans le domaine de température 80-250 K qui ont conduit aux conclusions suivantes : a) L'accroissement précédemment observé dans la vitesse de production des centres F provoqué par une impureté à 80 K est dû à un accroissement du piégeage interstitiel. b) L'augmentation avec la température de la vitesse de production des centres F entre 120 et 240 K est due à un accroissement intrinsèque du taux de formation primaire des centres F. c) La valeur absolue du taux de formation primaire des centres F à 240 K est supérieure à 0,01 eV^-1 ce qui n'est possible que si la production de défauts d'irradiation est due à un mécanisme d'ionisation unique.

Abstract
For many alkali halides there exists a rather large temperature range in which radiation produced anion interstitials are quite mobile whereas tlie accompanying vacancies are not. For these conditions, it is possible to derive simple rate equations for the production rate of stable vacancies (F-centers) and the disappearance rate of previously introduced divacancies (F₂-centers). Comparison of the predictions of these equations with experimental results for KCl has yielded values for the primary F-center production efficiency for the temperature range 80-250 K from which a number of conclusions have been drawn : a) The previously observed increase in F-center production rate due to impurity at 80 K is due to increased interstitial trapping. b) The increase with temperature of the F-center production rate between 120 and 240 K is due to an intrinsic increase in the primary F-center production efficiency. c) The absolute value of the primary F-center production efficiency at 240 K is greater than 01 eV_-1 which is possible only if radiation defect production proceeds by a single ionization mechanism.